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據中國科學院微電子研究所官微消息，中國共產黨黨員，中國科學院院士，我國杰出的微電子科學家，中國科學院微電子研究所研究員，原中國科學院微電子中心主任，第九屆、第十屆全國人民代表大會常務委員會委員吳德馨同志，因病醫治無效，于2026年3月23日13時15分在北京逝世，享年90歲。
公開資料顯示，吳德馨，女，1936年出生，河北樂亭縣人。1961年畢業于清華大學無線電電子工程系。中國科學院微電子所研究員。1991年當選為中國科學院院士(學部委員)。
20世紀60年代初，吳德馨作為主要負責人之一，在國內首先研究成功硅平面型高速開關晶體管，所提出的提高開關速度的方案被廣泛采用，并向全國推廣。60年代末期研究成功介質隔離數字集成電路和高阻抗運算放大器模擬電路。
吳德馨在20世紀70年代末研究成功MOS4K位動態隨機存儲器。在國內首先將正性膠光刻和干法刻蝕等技術用于大規模集成電路的研制，并進行了提高成品率的研究。首先在國內突破了LSI低下的局面。隨后又相繼研究成功16K位和64K位動態隨機存儲器。開發成功雙層多晶硅和差值氧化工藝，獨創了檢測腐蝕接觸孔質量的露點法。
隨后，吳德馨在20世紀80年代末期自主開發成功3微米CMOSLSI全套工藝技術，用于專用電路的制造。研制成功多種專用集成電路并研究開發成功VDMOS系列功率場效應器件和砷化嫁異質結高電子遷移率晶體管。20世紀90年代研究成功0.8微米CMOSLSI工藝技術，和0.1微米T型柵GaAsPHEMT器件。
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