12月5日晚，復旦大學物理學系發布訃告：中國共產黨的優秀黨員，著名物理學家，中國科學院院士，復旦大學物理學系教授、博士生導師王迅同志，因病醫治無效，于2025年12月5日6:22在上海新華醫院逝世，享年91歲。

　　王迅，男，漢族，1934年4月出生于上海，1956年7月加入中國共產黨。1952年進入復旦大學物理學系就讀，1956年本科畢業后，師從謝希德先生，于1960年以復旦大學物理學系副博士身份畢業，同年留校任教；1978年獲聘復旦大學副教授、1984年獲聘教授、1985年任博士研究生導師、1996年擔任復旦大學首席教授，1999年當選中國科學院院士。

　　王迅院士歷任復旦大學半導體物理教研室副主任，微電子教研室副主任，表面物理研究室副主任、主任，應用表面物理國家重點實驗室主任、學術委員會主任，復旦大學學術委員會副主任，復旦大學研究生教育指導委員會主任等職。曾擔任國際純粹與應用物理聯合會(IUPAP)半導體委員會委員(1993—1999年)、國際學術刊物《Surface Science》顧問編委。多次擔任國際半導體物理會議、國際硅分子束外延會議、國際表面結構會議、國際固體薄膜與表面會議等國際學術會議程序委員會、顧問委員會、組織委員會委員或分會主席。曾任中國物理學會理事(1996—1999年)，上海市物理學會理事長(1996—2000年)，中國物理學會半導體專業委員會副主任，中國科學院超晶格與微結構國家重點實驗室、中國科學院表面物理國家重點實驗室、中國科學院信息功能材料國家重點實驗室、北京正負電子對撞機國家實驗室和合肥國家同步輻射實驗室的學術委員會委員，并擔任《半導體學報》副主編，《物理》《真空科學與技術學報》《發光學報》《復旦學報(自然科學版)》等刊物編委。曾獲1987年復旦大學先進工作者、1996年光華科技基金二等獎、1997年中國物理學會第五屆葉企孫物理獎和1998年何梁何利科學技術進步獎。

　　王迅院士學術造詣深厚。他長期從事半導體物理學和表面物理學的研究工作，在半導體表面與界面的結構和電子態研究、多孔硅發光特性和機理研究、硅基低維量子體系的材料制備以及物理特性和新型器件研究等領域做出了許多創新性成果，在材料、物理和器件方面作出了重要貢獻。他在國際上首次提出了兩種InP表面的新結構模型，首次在國際上實現多孔硅的藍光發射，是我國硅鍺超晶格和量子點研究的首創者之一。他在國內外學術刊物上發表論文300余篇，其中在SCI刊物上發表170余篇。科研成果榮獲國家自然科學獎二等獎，4個項目獲國家教委科技進步二等獎，3個項目獲國家教委科技進步三等獎。

　　王迅院士潛心教書育人。他始終堅守在教學一線，曾主講《熱力學與統計物理》《大學物理(電磁學)》《固體物理》《電子線路》《半導體物理》《晶體管原理》和《MOS 集成電路》等眾多課程。2002年以后，已近古稀之年的王迅院士主動請纓，主講《大學物理(力學、電磁學、光學)》和《固體物理》。他積極推動教學方式改革，用英語主講或合作講授研究生課程《表面物理與表面分析》。他有力推動博士生招生制度改革，為創新人才選拔作出突出貢獻，先后培養研究生約60人，很多學生已成為相關領域的領軍人才。

　　王迅院士矢志科研報國。1979年開始，他協助謝希德先生歷時十余年建立復旦大學表面物理研究室，在我國開創了“表面物理學”這一新興學科，并擔任應用表面物理國家重點實驗室首任主任，將實驗室建設成為表面物理學研究領域具有重要國際影響力的人才培養中心和基地。他把一生奉獻給了物理學教育和科研事業，扎根復旦物理73載，以潤物無聲的師者風范滋養了一批又一批物理學子，更以立足前沿、勇探未知的科學精神，推動中國半導體物理學和表面物理學躋身國際前沿。

　　王迅院士以“潛心教書”的堅守、“用心育人”的擔當，詮釋了“學高為師，身正為范”的真諦。斯人已逝，風范長存。王迅院士的精神，將永續于復旦物理的血脈，激勵著一代又一代學人，在探索真理的道路上勇毅前行，續寫中國物理事業的輝煌篇章!

　　王迅院士千古！